|
|
کدخبر: ۱۶۸۸۸۸

یک دانشجوی دکترای آمریکایی با استفاده از یک پرتو ظریف متمرکز شده از الکترونها، موفق به کشف راهی برای ساخت نازکترین نانوسیم جهان با عرض تنها سه اتم شده است.

به گزارشافکارنیوز، جونهائو لین از دانشگاه واندربیلت که این پژوهش را به عنوان دانشمند مهمان در آزمایشگاه ملی اوک ریج انجام داده، توانست یک سیم کشی از تک لایه های اتمی فلز واسط دی کالکوژناید(‏dichalcogenide‏) – خانواده خاصی از مواد نیمه رسانا - ایجاد کند.

تک لایه، نازکترین شکل ممکن برای اجسام جامد مانند یک ورق از اتمهای بهم پیوسته محسوب می شود.

تک لایه ها به دلیل برخورداری از ویژگیهای جالب قدرتی و انععطافی و همچنین شفافیت و تحرک الکترون بالا بسیار مورد توجه مهندسان برق و دیگر دانشمندان قرار دارند. کشف لین یک گام بزرگ دیگر در درک پتانسیل این مواد محسوب می شود.

به گفته لین، از آنجایی که روش وی از پرتوتابی الکترونی استفاده می کند، در اصل می تواند بر روی هر ابزار مبتنی بر الکترون مانند لیتوگرافی با پرتو الکترون اعمال شود.

توضیح بیشتر اینکه، سیمهای میکروسکوپی کنونی که در مدارهای یکپارچه مدرن مورد استفاده هستند، هزاران برابر بزرگتر از نانوسیمهای ابداعی لین محسوب می شوند.

این دانشمند جوان سیمها را با استفاده از یک پرتو کوچک از الکترون با عرض نیم اتم ایجاد کرد.

جدای از امکان سیم کشی ترازیستورها و درایوهای حافظه فلش کوچکتر و مقاومتر، پتانسیل بزرگتر نانوسیمها و فناوری تک لایه لین هنوز مشخص نیست اما فرصتهای احتمالی مانند نمایشگرهای تلویزیون و تبلیا به باریکی ورق کاغذ با قابلیت تا کردن آنها بسیار هیجان انگیزند.

این پژوهش در مجله نیچر منتشر شده است.

ارسال نظر

پربیننده ترین

آخرین اخبار